由中国科学院光电技术研究所研制的国际上首台分辨力最高的超分辨光刻装备29日通过专家组验收。这一设备的研制成功，将提升我国纳米制造技术和装备自主创新能力。 

　　这种光刻设备是用在精密仪器和产品制造上的，比如芯片。据介绍，超分辨光刻装备采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米（约1/17曝光波长）。在此基础上，项目组结合项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形等配套工艺，实现了10纳米以下特征尺寸图形的加工。该项目目前已获得了授权国内发明专利47项，国外发明专利4项，拥有完全自主知识产权。 

　　专家组认为，这一项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过了国外高分辨光刻装备技术知识产权壁垒，实现了我国技术源头创新,研制出了拥有自主知识产权、技术自主可控的超分辨光刻装备。 

　　超分辨光刻装备在实验阶段已经有所产出——中国航天科技集团第八研究院、中科院上海微系统与信息技术研究所、电子科技大学、四川大学华西二院、重庆大学等多家单位利用这一设备制备了一系列纳米功能器件，包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等，验证了超分辨光刻装备纳米功能器件加工能力，已达到实用化水平。（光明融媒记者齐芳）