11月13日至15日，由中国科学院光电技术研究所承办的全国半导体设备和材料标准化技术委员会第三届微光刻技术交流会暨微光刻分技术委员会年会于在成都召开。 

　　来自全国各地50多个单位的标委会委员，国际著名半导体设备公司JEOL、Vistec、Heidelberg、GenISys、Nano Precision等公司的代表与《微纳电子技术》杂志社代表，共计100余名代表参加了本次会议。与会单位涵盖了国内微光刻技术、微电子专用设备研发、光掩模制造技术、微纳米制造技术与半导体掩模制造设备等领域的生产企业、知名科研院所、重点高等院校及用户单位以及国际知名半导体设备厂商。 

　　光电所总质量师范天泉研究员代表光电所致欢迎辞，光电所微电子专用设备研究室主任胡松研究员致大会开幕辞。 

　　会上，分委会秘书长陈宝钦研究员回顾了微光刻的发展历程，和与会代表分享了自己耕耘微光刻领域几十年的感想。光电所胡松研究员做了《光电所微光刻设备研究进展》报告，GenISys公司总工程师Nit Takasatorn先生、微电子所韦亚一研究员、JEOL公司的會田征德研究员、Vistec公司的Heidenhain Mike先生和Raith Ines先生、Nano Precision公司的技术代表、Heidelberg公司的Steffen Diez、复旦大学陈宜方教授、湖南大学段辉高教授以及苏大维格的浦东林等代表在大会上也做了精彩纷呈的技术报告，分享了各自领域的最新研究成果。会议期间委员们还就微光刻与微纳米制造技术及其相关领域进行了广泛的技术交流，大会为委员们提供了一个很好的业内最新发展动态及交流的平台，受到了参会代表的一致好评。 

　　全国半导体设备和材料标准化技术委员会秘书处王香秘书在大会上解读了国家标准申报程序；会议审议了《微光刻领域的光致抗蚀剂灵敏度测量所涉及的参数规范》等6项国家标准立项建议书，电子信息行业标准《微电子学微光刻技术术语》修订草案及《光学图形发生器设备完好性要求及评定方法》复审稿等。委员们本着认真负责，严格要求的精神，按照国家标准GB/T1.1-2009的要求进行了广泛而深入的讨论，一致通过了6项国家标准立项建议书和行业标准修订案。会议决定2014年秋在上海举办第四届“微光刻技术研讨会”，复旦大学为下一届承办单位。 

　　交接仪式上，陈宜方教授从胡松研究员手中接过了协会的会牌。 

　　会议期间委员和代表们参观了中国科学院光电技术研究所园区和微电子装备总体研究室，对于光电所在微电子光学装备技术领域的技术攻关与应用研究中取得丰硕的成果表示由衷赞赏。